深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
会员年资:4年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳
收藏本公司
行业资讯
京东方董事长:面板行业降进入洗牌关键期
芯片被称为“工业粮食”是制造业的核心技术
国内研发DRAM内存累计费用高达25亿美元
环球半导体喜获2019年中国IC设计成就奖双项大奖
华为在关键芯片领域做了大量的库存准备
上海 昆山推出集成电路扶持政策加速突破核心技术
更多..
联系我们
联系人:刘星 莫露 杨雪娟 廖美洲 刘财路 洪颖 曹小姐 和我即时交谈 和我即时交谈 和我即时交谈
电话:0755-88377859代理商 曹小姐13410995580
手机:13410995580 (2013-2014年前十佳IC供应商)

传真:QQ在线联系474040147 ,341025935 {最低价出售 支持新老客户}
EMail: 3410259354@qq.com 
地址:深圳曹小姐,QQ308007118,474040147福田区振兴路101号华匀大厦2栋509-509B室
IC产品 | 元器件产品
    产品名称: 显示全部

LMV358Q1MA

点击浏览LMV358Q1MA产品的大图!

【产品名称】 LMV358Q1MA

【产品类别】 电子元器件 > 集成电路(IC) > 其他IC

【市 场 价】 1

【本 站 价】 

【产品规格】 

【生产厂家】 

    【产品说明】 

    LMV358Q1MA代理LMV358Q1MA现货供应.

    有关咨询LMV358Q1MA价格
    LMV358Q1MA供货情况
    LMV358Q1MA库存数量
    LMV358Q1MA规格书
    LMV358Q1MA产品购买,请联系!
    深圳市创芯弘科技有限公司  
    总机:0755-36605050
    刘财路:13410000176   QQ:2403652447
    曹小姐:13410995580   QQ:474040147

    制造商:Texas Instruments

    产品种类:运算放大器 - 运放

    封装:Tube

    商标:Texas Instruments

    系列:LMV358-N-Q1


    (优质工厂客户长期采购可申请做账期)本公司向广大新老客户承诺,只经营原装产品(百分百原装进口料)所有产品都经正规渠道由国外直接进货,第一手货源,全市优势价格,品质保证保证..


    IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。

    经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装,可提供大电流密度,有效缩减整体系统尺寸并降低成本,适用于空间受限的大功率工业设计。

    全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力,并提供多种封装选择,使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”

    与DirectFET系列的其它器件一样,全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含铅的物料清单,因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

    规格                                                            

    采用表面贴装封装的60V StrongIRFET

    器件编号

    BVDSS

    25oC时的ID

    VGS为10V时的最大导通电阻

    VGS为10V时的Qg

    封装

    IRF7580M

    60V

    116A

    3.6

    120

    中罐式 (ME) DirectFET

    IRFS7530-7P

    240A

    1.4

    256

    D2-PAK-7

    IRFS7534-7P

    240A

    1.9

    200

    D2-PAK-7

    IRFS7530

    195A

    2.0

    274

    D2-PAK

    IRFS7534

    195A

    2.4

    180

    D2-PAK

    IRFH7085

    100A

    3.2

    110

    PQFN 5x6 (B)

    IRFR7540

    110A

    4.8

    85

    D-PAK

    IRFS7537

    195A

    3.3

    142

    D2-PAK

    IRFS7540

    110A

    5.1

    88

    D2-PAK

    IRFH7545

    85A

    5.2

    73

    PQFN 5x6 (E)

    IRFR7546

    71A

    7.9

    58

    D-PAK

    采用穿孔式封装的60V StrongIRFET

    器件编号

    BVDSS

    25oC时的ID

    VGS为10V时的最大导通电阻

    VGS为10V时的Qg

    封装

    IRFB7530

    60V

    195A

    2.0

    274

    TO-220

    IRFP7530

    2.0

    274

    TO-247

    IRFB7534

    2.4

    186

    TO220

    IRFB7537

    3.3

    142

    TO-220

    IRFP7537

    3.3

    142

    TO-247

    IRFB7540

    110A

    5.1

    88

    TO-220

    IRFB7545

    85A

    5.9

    75

    IRFB7546

    58A

    7.3

    58


【更新时间】 2015/10/30 10:52:48

上一篇:供应H5TQ2G83EFR-PBC韩国海力士内存IC  下一篇:TAS5768MDCA

电话:0755-88377859代理商 曹小姐13410995580    传真:QQ在线联系474040147 ,341025935 {最低价出售 支持新老客户}    Email: 3410259354@qq.com  联系人:刘星 莫露 杨雪娟 廖美洲 刘财路 洪颖 曹小姐
曹小姐,QQ308007118,474040147福田区振兴路101号华匀大厦2栋509-509B室
深圳市创芯弘科技有限公司©2000-2019

您是第 位访问者


公网安备44030402000606   粤ICP备13051289号-6