深圳市创芯弘科技有限公司
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MT3S111




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    制造商: Toshiba
    产品种类: 射频(RF)双极晶体管
    RoHS:  详细信息  
    系列: MT3S111P
    晶体管类型: Bipolar
    技术: SiGe
    晶体管极性: NPN
    直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
    集电极—发射极最大电压 VCEO: 6 V
    发射极 - 基极电压 VEBO: 0.6 V
    集电极连续电流: 100 mA
    最大工作温度: + 150 C
    配置: Single
    安装风格: SMD/SMT
    封装 / 箱体: SC-62-3
    封装: Cut Tape
    封装: Reel
    工作频率: 8 GHz  
    商标: Toshiba  
    最大直流电集电极电流: 100 mA  
    Pd-功率耗散: 1 W  
    产品类型: RF Bipolar Transistors  
    工厂包装数量: 1000  
    子类别: Transistors  
    单位重量: 50 mg




    产品广泛应用于工业自动化,医疗设备,电机控制,光模块,电源系统,仪器仪表,智能家居,电网自动化,通信,汽车电子等。
     本公司整合100万条现货库存,所有库存均可在线报价 极速发货, 国外交货最快3-5个工作日,国内当天发货!解决中小企业一键BOM配单,撮合交易。
     

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[发布时间:2019/7/8 9:53:00]

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